Různé druhy III-V složených polovodičových materiálů se používají pro detektory v rozsahu od UV oblasti - 190 nm s GaAsP až do IR oblasti – 22 µm s HgCdTe chlazeným tekutým dusíkem. Tyto IR citlivé detektory se mohou chladit pomocí TE chlazení nebo pomocí tekutého dusíku.

PbS, PbSe

PbS a PbSe detektory jsou fotovodivé senzory jejichž odpor se snižuje s rostoucí intenzitou dopadajícího IR záření. PbS senzory pracují v oblasti od 1.3 µm do 3.2  µm s maximem kolem 2.2 µm a PbSe senzory pracují v oblasti od 1.3 µm do 5.2  µm s maximem kolem 4.2 µm. Mohou pracovat při pokojové teplotě nebo mohou být chlazeny pomoci TE článku. Dostupné jsou senzory s velkou aktivní oblastí (5 x 5 mm). Oba typy detektorů PbS i PbSe se používají v pyrometrech pro měření teploty, detektorech ohně, v detektorech pro detekci plynů a dalších analytických přístrojích využívajících střední IR pásmo.

InSb, InAs

InSb a InAs fotovoltaické detektory pokrývají obdobnou spektrální oblast jako PbS a PbSe detektory, ale přitom nabízejí vyšší rychlost odezvy, lepší S/N poměr a mohou se používat v aplikacích kde PbS a PbSe detektory nejsou vhodné. V případě InSb detektorů jsou dostupné i typy s citlivostí až do 6.5 µm, tedy za rozsah PbS a PbSe detektorů.

MCT

MCT (HgCdTe) fotovodivý detektor jejichž odpor se snižuje s rostoucí intenzitou dopadajícího IR záření. Spektrální odezva může být uzpůsobena změnou stochometrie detektoru. Maximum citlivosti může být v rozmezí 3.6 µm až 17 µm, přičemž vymezená spektrální oblast může být od 5.5 µm do 22 µm. Tyto detektory mohou být chlazeny pomocí TE chlazení, tekutým dusíkem nebo pomocí chladiče s Stirlingovým motorem.

Two-color Detektor

Two-color je tvořen Si fotodiodou předsazenou před PbS detektor, PbSe detektor nebo InGaAs PIN fotodiodu. SI fotodioda je navržena tak aby propouštěla IR záření. Tato kombinace dvou detektorů dosáhneme širší spektrum detekovaného záření v rámci jednoho prvku. Termoelektricky chlazené typy udržují během provozu konstantní teplotu, což umožňuje dosáhnout lepšího S/N poměru během měření. Tyto prvky se používají ve spektrometrech, pyrometrech a detektorech ohně.

Photon Drag Detektor

Tento detektor pracuje na principu photon drag efektu , kdy ‘díra’ vytvořená fotonem v aktivní oblasti tažená ve směru fotonu vytváří elektromotorickou sílu. Tyto detektory mají vysokou rychlost odezvy a vysokou citlivost kolem vlnové délky 10.6 µm. Povrch detektoru je potažen antireflexním materiálem. Tyto vlastnosti činí tyto detektory vhodné kandidáty pro detekci CO2 laserů, bez nutnosti chlazení pomocí tekutého dusíku.

GaAsP, GaP

GaAsP a GaP fotodiody mají spektrální odezvu podobnou lidskému oku. Proti křemíkovým fotodiodám, stejně jako lidské oko, mají potlačenou citlivost na delších vlnových délkách. Typicky je jejich odezva od 280 nm do 760 nm (některé typy mohou jít od 190 nm). Tyto fotodiody se využívají pro UV detekci, spektrofotometrii a měření barev.