Si fotodiodové detektory
Křemíkové fotodiody jsou polovodičové detektory záření, které generují proud nebo napětí pokud na P-N přechod v polovodiči dopadne záření. Typické vlastnosti těchto prvků jsou vynikající linearita, nízký vnitřní šum, širokou spektrální odezvu a dlouhou životnost.
Křemíkové fotodiody mohou být zkombinovány buď v rámci jednoho čipu nebo jako hybrid s vyhodnocovací elektronikou do Photo IC senzorů nebo do MOST prvků pro optické komunikace.
Více informací na stránkách dodavatele
Přehled fotodiod
Si fotodiody
Prvky s vysokou citlivostí a nízkým temným proudem navržené pro přesnou fotometrii
Si PIN fotodiody
Široké pásmo spolu s nízkým předpětím z nich činí ideální prvky pro vysokorychlostní fotometrii
Si fotodiodové řady
Si fotodiodové řady jsou složené z fotodiod v lineárním nebo maticovém uspořádání
Si fotodiody s předzesilovačem
Fotodiody s integrovaným předzesilovačem a chlazením
Si lavinové fotodiody (APD)
Si lavinové fotodiody mají vnitřní zisk, rychlou odezvu a vysokou citlivost od UV do NIR oblasti
APD moduly
APD moduly se skládají z APD, zesilovače s nízkým šumem a integrovaným napájecím zdrojem
MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)
Detektory a moduly určené pro čítání fotonů
X-ray fotodiody
Detektory určené pro ionizující záření a částice s vysokou energií