InGaAs fotodiody
InGaAs fotodiody jsou detektory pro blízkou IR oblast (NIR), které vynikají nízkým šumem, nízkým temným proudem a vysokou rychlostí odezvy. Pokud jsou chlazeny pomocí TE chlazení lze dosáhnou velice nízkého temného proudy a vysoké citlivosti. InGaAs detektory se používají pro NIR spektroskopii, optické komunikace a mohou být rozděleny do čtyřech skupin:
- Standardní typy InGaAs PIN fotodiody se spektrální odezvou v rozsahu 0,9 až 1,7 µm. Tyto prvky mají vysokou rychlost odezvy a nízký šum.
- Dlouhovlné typy InGaAs PIN fotodiod se spektrální odezvou až do 2,6 µm.
- Detektory obrazu a diodové řady používané pro spektrofotometrii a DWDM vícekanálové monitorování. Tyto prvky mají spektrální odezvu v rozsahu 0,9 µm až 1,67 µm a 0,9 µm až 2,55 µm. Jejich součástí může být jedno nebo dvou fázové TE chlazení.
Přehled produktů
Standardní typy
InGaAs PIN fotodiody se spektrální odezvou v rozsahu 0,9 až 1,7 µm
Dlouhovlné typy
Dlouhovlné typy InGaAs PIN fotodiod se spektrální odezvou až do 2,6 µm
APD
Rychlé fotodiody vhodné pro měření slabých signálů
Detektory obrazu/řady
InGaAs detektory ve spektrálních rozsazích, 0,9 až 1,67 µm a 0,9 až 2.55 µm
Infračervené moduly
Moduly s integrovanám předzesilovačem a teplotním kontrolerem