Další foto detektory
Různé druhy III-V složených polovodičových materiálů se používají pro detektory v rozsahu od UV oblasti - 190 nm s GaAsP až do IR oblasti – 22 µm s HgCdTe chlazeným tekutým dusíkem. Tyto IR citlivé detektory se mohou chladit pomocí TE chlazení nebo pomocí tekutého dusíku.
Přehled produktů
PbS, PbSe
Fotovodivé detektory pro NIR a IR oblast
InSb, InAs, InAsSb
Fotovodivé detektory pro IR oblast 1,5 - 6,5µm
MCT
Fotovodivé detektory pro IR oblast
Dvoubarevné detektory
Kombinace PbSdetektoru a Si nebo PIN fotodiody
Photon Drag Detektor
Detektory vhodné pro detekci CO2 laserů
GaAsP, GaP
Detektory 280-760nm