Dlouhovlné InGaAs fotodiody

Odborný poradce sekce

Dlouhovlnné InGaAs PIN fotodiody mají rozšířenou oblast spektrální odezvy. Dostupné jsou tři rozsahy odezvy:

  • 0,9 µm až 1,9 µm
  • 1,0 µm až 2,1 µm
  • 1,2 µm až 2,6 µm

Jednotlivé fotodiody lze doplnit termoeketrickým chlazením pro snížení temného proudu.

Hlavní aplikace dlouhovlnných InGaAs fotodiod:

  • NIR spektroskopie
  • Monitorování chemických procesů
  • Detekce plynů
  • Sledování kvality potravin

Přehledné dělení InGaAs fotodiod podle vlnové délky.

Výrobce

Hamamatsu nabízí širokou škálu detektorů od head on fotonásobičů po kompaktní PMT senzory a polovodičové detektory typu Si, Si PIN, APD, GaAsP, GaP, Ge, InGeAs, PbS, PbSe, InAs, InsB, HgCdTe a pyroelektrické detekotry. V nabídce naleznete i diodové lineární senzory, polohově citlivé senzory, CCD a různé další měřící systémy. Více o Hamamatsu

  • dlouhovlne-typy

Máte otázku? Kontaktujte nás

  • * povinné položky