Expozice fotorezistů

Fotorezist je světlocitlivý materiál, který po ozáření správnou vlnovou délkou změní své chemické vlastnosti a stane se tak buď rozpustným, nebo naopak nerozpustným ve vyvolávací chemikálii. Jedná se tedy o vhodný materiál k vytváření složitých mikrostruktur v materiálu pomocí světelného záření.

Fotorezisty se velmi využívají při výrobě polovodičových součástek a plošných spojů, kdy je do základové desky pomocí UV záření přenesena složitá struktura dílčích elektrických obvodů nebo i celých součástek. Dále se fotorezisty používají například v biomedicínském inženýrství a holografii.

Velmi rychle se rozvíjejícím odvětvím, kde je možné uplatnit fotorezisty je pak mikrostrojírenství. Speciální fotorezisty je totiž možné uspořádat do vrstev a vhodně vyvolávat tak, aby vznikly velmi složité struktury, které slouží jako ventily, gyroskopy nebo ozubená kola tvořící převody. Všechna tato tzv. MEMS (Micro Electro Mechanical System) zařízení mají však rozměry v řádech jednotek mikrometrů.

Existuje celá škála různých fotorezistů, které jsou citlivé na různé vlnové délky a jejich materiálové vlastnosti se mění s expoziční dávkou. K dosažení optimální expozice je proto nutné měřit expoziční dávku dodanou do fotorezistu, abychom zamezili přeexponování nebo naopak nedostatečné expozici materiálu. Tuto expoziční dávku je nutné měřit radiometrem, který svým rozsahem pokrývá UV oblast, na kterou je citlivá většina fotorezistů.

Vhodným detektorem pro spektrální oblast 260 – 476 nm je pak například radiometr ILT1700 nebo ILT1400.